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GRM1555C1H5R0CZ01D图片

图像仅供参考

型号: GRM1555C1H5R0CZ01D
功能描述: 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Medium Power
制造商: Diodes Incorporated
代理商: GRM1555C1H5R0CZ01D代理商/分销商

详细参数

制造商:Diodes Incorporated
产品种类:双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS:
安装风格:SMD/SMT
封装 / 箱体:SOT-223-4
晶体管极性:NPN
配置:Single
集电极—发射极最大电压 VCEO:25 V
集电极—基极电压 VCBO:35 V
发射极 - 基极电压 VEBO:5 V
集电极—射极饱和电压:0.4 V
最大直流电集电极电流:3 A
增益带宽产品fT:240 MHz
最小工作温度:- 55 C
最大工作温度:+ 150 C
系列:FZT649
高度:1.65 mm
长度:6.7 mm
封装:Cut Tape
封装:MouseReel
封装:Reel
宽度:3.7 mm
商标:Diodes Incorporated
集电极连续电流:3 A
Pd-功率耗散:2 W
产品类型:BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量:1000
子类别:Transistors
单位重量:112 mg

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